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Solid State Devices -固态电路与器件视频课程

 
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      每个班级的人数限3到5人,互动授课, 保障效果,小班授课。
  上间和地点
上部份地点:【上海】同济大学(沪西)/新城金郡商务楼(11号线白银路站)【深圳分部】:电影大厦(地铁一号线大剧院站)/深圳大学成教院【北京分部】:北京中山学院/福鑫大楼【南京分部】:金港大厦(和燕路)【武汉分部】:佳源大厦(高新二路)【成都分部】:领馆区1号(中和大道)【沈阳分部】:沈阳理工大学/六宅臻品【郑州分部】:郑州大学/锦华大厦【石家庄分部】:河北科技大学/瑞景大厦
最近开间(周末班/连续班/晚班):2019年1月26日
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部份程大纲
 
  • Course Overview
    MOS Capacitants, MOS Transistors, MOSFET
    Advanced MOSFET Issues
    Off and On State Effects
    Universal Mobility Curve and Velocity Saturation
    MOSFET Model
    Hot Carrier Effects
    International Technology Roadmap for Semiconductors
    Physics of Basic Oxide Reliability; High-K Dielectrics
    Gate Electrode Materials
    Strained Silicone
    Multiple-Gate MOSFIT
    Multiple Gate Devices; Memory

 

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